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科技腾讯新闻·半导体产业纵横··AI 生成
光模块的命门被卡住了
AI算力需求爆发导致磷化铟衬底供需缺口超70%，价格暴涨数倍，成为AI光互连的硬约束。文章系统梳理了磷化铟为何难以替代、供应链断裂风险（中日美出口管制）、下游巨头（英伟达、华为）通过直投/锁定产能重塑供应链，以及国内外激进扩产与技术突破。适合关注AI基础设施、半导体材料、供应链风险的深度读者，提供了具体价格、产能数字与公司动态，但缺乏对产能过剩风险、铟价波动周期、替代技术路线的深入探讨。原文 ↗
核心观点
- ▍磷化铟是800G/1.6T光模块不可替代的刚需衬底材料，其供需缺口已成为AI算力基础设施的硬约束，供应链断裂风险加剧了这一瓶颈。
- 012026年4月，2英寸磷化铟衬底价格从2025年初的800美元/片涨至2300-2500美元/片，涨幅近2倍；6英寸高端衬底从1400美元/片涨至5000美元/片，涨幅超250%。
- 022026年全球磷化铟衬底需求预计达260万-300万片，有效合规产能仅约75万片，供需缺口突破70%。
- 03英伟达于2026年3月分别向Coherent、另一家光子厂商各投入20亿美元产业资金并配套长期采购协议，锁定未来数年磷化铟产能。
- 04华为旗下哈勃投资鑫耀半导体持股23.91%，并通过协议锁定优先供应权；2025年华为锁定鑫耀8万片磷化铟晶片订单，预付款比例达40%。
- 052026年1月中国商务部禁止向日军事用户出口InP等物项；日美企业申请中国产磷化铟衬底拒绝率超80%。
- 06金属铟价格（至2026年7月）达5560元/千克，较2025年初翻倍。铟作为冶炼副产品供给弹性天然受限。
- 07国内企业如云南锗业、有研新材、先导微电子均启动大规模扩产计划，但扩产周期长达18-24个月，设备进口受限，供需紧张预计持续至2028年。
- 08九峰山实验室联合鑫耀半导体首次开发出6英寸磷化铟外延生长工艺，关键性能达国际领先水平，实现全链路国产化。
反方 / 局限
- — 文章虽提及扩产，但未深入分析当所有产能落地后（如先导微电子产能目标600万片/年），是否将导致严重的供过于求与价格崩盘。
- — 文章提到InP与硅光（SiPh）的混合/异质集成是当前主流方向，但未深入讨论硅光技术（如SiPh调制器）对纯InP方案的长期替代威胁。
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