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存储芯片行业或迎新一轮供需波动
人工智能热潮推高HBM等存储芯片需求，三星、SK海力士、美光等巨头斥巨资大规模扩产，引发市场对传统周期行业产能过剩的担忧，相关公司股价已出现大幅回调。文章核心在于分析本轮周期与过往的差异：HBM高度定制化且晶圆耗用成本高，下游客户已签订长期协议锁定产能，但同时，中国存储产业的快速扩张成为未来10年全球供需格局的最大变量。适合跟踪半导体行业、关注AI产业链投资的深度读者，用以校准对存储芯片投资节奏的判断。原文 ↗
核心观点
- ▍存储芯片行业正面临新一轮供需博弈：AI需求拉动的HBM等高端芯片供不应求，但三巨头大规模扩产计划，叠加中国产能的快速崛起，可能在未来几年（2028-2029年）引发通用DRAM领域的产能过剩危机。
- 01三星电子、SK海力士、美光等公司股价已从6月高点大幅下跌（SK海力士韩国本土股价暴跌近40%），反映出市场对供需关系重新评估的担忧。
- 02SK海力士计划未来10年在韩国投资超过1100万亿韩元，目标是到2034年实现产能翻三倍。
- 03三星电子宣布2040年前在韩国半导体业务投入2100万亿韩元。
- 04美光科技承诺2035年前在美国投资超2500亿美元，并加码日本、印度等全球生产基地。
- 05成均馆大学教授权锡俊警告，若AI需求不及预期，几大巨头的扩产规划或将在2028年推高行业库存。
- 06麦格理分析师指出，本轮周期与过去不同：HBM晶圆耗用成本高，制程难度大，且下游客户已与三巨头签订多年长期协议锁定产能。
- 07权锡俊认为，HBM因高度定制化，供给过剩概率较低，但通用DRAM或在2029年面临过剩。
- 08摩根士丹利测算，2028年前中国新增DRAM晶圆产能将占全球增量的30%，规模仅次于韩国。
反方 / 局限
- — 文章承认本轮周期差异（HBM定制化、长期协议），但未深入讨论HBM需求放缓或技术路线替代（如存算一体）带来的风险，对AI需求增长假设的依赖度较高。
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