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存储为何再度跳水？
文章分析了存储芯片股近期震荡的核心矛盾：基本面强劲（美光营收同比增长346%），但供给扩张预期与客户对DRAM涨价的强烈抵制正在侵蚀市场信心。触发抛售的直接因素是巴菲特警告AI投机盛行，但更根本的担忧在于SK海力士扩产、DRAM规格下调（LPDDR5X容量可能削减至四分之一）以及ADR溢价收窄风险。适合关注存储周期、半导体产业链的投资者阅读。原文 ↗原文 ↗
核心观点
- ▍存储板块的核心矛盾在于：基本面数据强劲，但供给扩张预期与需求端规格下调风险正在侵蚀市场对高价格持续性的信心。
- 01美光股价单日重挫10%，SK海力士ADR同步下跌9%，直接导火索是巴菲特警告称AI主题投机盛行、市场已难觅真正价值。
- 02广发香港下调第三季度DRAM价格增长预测，原因在于客户对接近30%的涨价幅度强烈抵制。
- 03广发香港指出，英伟达VR200 NVL72机架LPDDR5X容量已大幅削减，极端情景下可能降至原始规格的四分之一，成本从120万美元压缩至约29.3万美元。
- 04KeyBanc分析师预计NAND三季度涨价30%至40%，HBM价格明年有望翻倍以上。
- 05SK海力士ADR相对韩国本地股的溢价一度超过50%，韩国证券存托机构预计7月29日开放双向转换，溢价空间可能显著收窄。
- 06美光最新财季营收达415亿美元，同比增长346%，且已与16家客户签订总额220亿美元的供应承诺协议。
- 07美光今年资本支出约270亿美元，SK海力士与三星电子同样在大规模扩产。
反方 / 局限
- — 文章引用KeyBanc的乐观预期与广发香港的谨慎态度形成对比，显示市场对存储价格走势的分歧。
- — 多头逻辑的核心假设——供给紧张持续时间长于历史周期——能否成立，仍是市场最大的不确定性。
前置背景
平行视角
未来推演
延伸追问