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科技36 氪·半导体行业观察··AI 生成
SiC，再起风云
本文分析了2026年全球碳化硅（SiC）MOSFET市场的技术路线分化：三菱电机、博世、英飞凌等厂商在沟槽结构上持续深挖，追求极致性能；而意法半导体、Wolfspeed、安森美等则坚守平面架构，依靠成熟工艺和良率守住商业阵地。文章揭示了这场技术路线之争背后，是极致性能与商业良率之间的终极思辨，以及中国本土SiC厂商成本优势对海外IDM巨头的冲击。适合半导体、新能源汽车、电力电子领域的从业者和投资者阅读。
核心观点
- ▍2026年SiC MOSFET的竞争并非简单的“沟槽全面取代平面”，而是进入了更复杂的路线分化期：沟槽阵营追求性能上限，平面阵营守护商业底线。
- ▍中国本土SiC厂商凭借成本优势（晶圆成本压低至西方三分之一），正倒逼安森美等国际巨头放弃部分自产晶圆，转向外购，并重新审视垂直一体化战略。
- 01三菱电机、博世、东芝、英飞凌等厂商深挖沟槽结构，分别针对eAxle、高压牵引逆变器、AI数据中心电源等不同场景进行优化。
- 02罗姆在其第五代SiC MOSFET中，从激进的“双沟槽”转向精细化改进，试图在低导通电阻与栅氧可靠性、制造良率之间寻找新的平衡。
- 03意法半导体、Wolfspeed、安森美坚守平面架构：Wolfspeed第五代产品在175℃下实现3.4mΩ-cm2的比导通电阻；安森美M3e平台被小米YU7和蔚来、吉利等采用。
- 04纳微半导体推出“沟槽辅助平面”（TAP）结构，属于平面与沟槽的折中方案，旨在克服传统两种架构之间的固有取舍。
- 05博世将芯片厚度减少40%至100微米，揭示了“背面磨薄”是提升性能的重要隐藏抓手，当正面沟道电阻被压缩后，背面衬底电阻占比凸显。
- 06国内头部功率器件厂商在沟槽工艺及8英寸沟槽线上低调布局，但当前务实地主攻成熟的平面型SiC，以良率和成本优势在800V市场站稳脚跟。
反方 / 局限
- — 作者暗示，中国本土SiC厂商在技术路线上没有公开声音，折射出战略重心差异：海外巨头靠技术换代维持高毛利，而国内厂商的核心任务是加速建立自主供应链并实现规模化卡位，技术路线并非首要矛盾。
安森美 (Onsemi)三菱电机博世 (Bosch)东芝罗姆 (ROHM)英飞凌 (Infineon)意法半导体 (ST)Wolfspeed纳微半导体 (Navitas)SiC MOSFET沟槽栅 (Trench Gate)平面栅 (Planar Gate)JFET电阻比导通电阻 (RSP)电驱动桥 (e-Axle)AI数据中心
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