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兆易创新和长鑫科技！中国存储的两张王牌，都在朱一明手里
文章梳理了朱一明从硅谷归国创办兆易创新、再主导长鑫存储二次创业的完整历程。核心叙事是：兆易创新从巨头退出的NOR Flash边缘市场切入，完成原始积累；长鑫则通过收购奇梦达专利、合肥国资重注，以IDM模式追赶DRAM，在AI算力需求爆发后实现扭亏并冲刺IPO。与同类报道相比，本文提供了较多招股书数据和企业内部决策细节，对理解中国存储产业“设计+制造”的虚拟IDM协同有参考价值。适合对半导体产业和公司战略感兴趣的读者。原文 ↗
核心观点
- ▍朱一明通过两次创业，分别掌控了兆易创新（NOR Flash设计）和长鑫存储（DRAM IDM制造），形成了中国存储产业“设计+制造”的虚拟IDM闭环，抓住了AI算力需求爆发的风口。
- 012005年朱一明归国创立兆易创新前身，选择NOR Flash这一被国际巨头视为边缘的赛道切入，避免了正面竞争。
- 022008年金融危机导致三星、Spansion等巨头退出NOR Flash市场，兆易创新抓住供给收缩的窗口期，在低端电子产品市场完成早期积累。
- 032016年，朱一明主导长鑫存储，合肥国资投入数百亿元，启动DRAM制造项目，并约定其产能优先供给兆易创新，形成虚拟IDM闭环。
- 04长鑫通过与加拿大专利运营公司WiLAN及其子公司Polaris谈判，收购了源于奇梦达的DRAM专利，扫清了海外专利诉讼隐患。
- 052025年长鑫实现扭亏，归母净利润18.75亿元；2026年一季度归母净利润247.62亿元，半年预计净利润超过过去十年累计亏损（366.5亿元）。
- 06长鑫DRAM产品已覆盖DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5X，2025年Q4全球市场份额升至7.67%，位列中国第一、全球第四。
- 07朱一明承诺上市后第一个十年不减持股份，第二个十年每年最多减持上年末剩余锁定股份的20%，并将7.68亿股股份用于员工股权激励。
反方 / 局限
- — 长鑫业绩爆发依赖AI算力需求驱动的供需失衡，一旦云厂商资本开支放缓或三星等对手扩产，市场可能重回供过于求。
- — 存算一体、片上缓存等新型架构若产业化，可能削弱AI对DRAM的驱动力，长鑫现有技术路线面临底层挑战。
- — 长鑫在HBM领域存在明显技术追赶压力，海外对手已推进至HBM4E，而长鑫尚未披露明确的HBM产品路线图和量产时间表。
- — 长鑫报告期内AI相关收入占比仍相对较低，AI商业化应用持续拓展中的不确定性构成风险。
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