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SK海力士美股ADR涨27%带动全球存储股反弹

SK海力士美股ADR单日暴涨27%，创51%跨市场溢价，带动全球存储股反弹。暴涨由AI存储需求、宏观通胀降温与期权资金共振驱动，但51%的溢价已创历史极值，存在短期交易性泡沫风险。文章揭示了AI硬件正系统性吞噬传统IT预算，资金加速向算力硬件端转移的产业趋势。原文 ↗

核心观点
  • ▍SK海力士ADR暴涨是AI存储需求、宏观通胀降温与期权资金三股力量共振的结果，但51%的超高溢价不可持续，属短期交易性现象。
  • ▍IBM因营收不及预期暴跌25%，与SK海力士暴涨形成对比，印证AI硬件正在系统性吞噬传统IT预算，资金向算力硬件端加速迁移。
  1. 01SK海力士ADR单日涨27.29%，收报193.92美元，总市值达1.41万亿美元，较韩股溢价高达51%。
  2. 02美国6月CPI同比上涨3.5%，环比下降0.4%，为六年来首次环比下降，缓解加息担忧，资金回流科技成长赛道。
  3. 03SK海力士正式启动面向英伟达下一代AI平台的12层HBM4量产出货，进入产能爬坡阶段。
  4. 04SemiAnalysis报告预计其二季度DRAM平均售价环比大涨约45%，巴克莱给出330美元目标价。
  5. 05ADR期权上市、大量短期看涨期权和散户资金涌入，流通盘仅占总股本约2.5%且存在兑换限制，导致溢价失控。
  6. 067月15日韩国KOSPI指数涨超7%，SK海力士韩股涨超11%，触发向上熔断。
反方 / 局限
  • — 摩根士丹利指出51%的溢价主要是期权上市带来的短期交易性因素，预计1至3个月内将回落至常规区间。
  • — 随着三星、美光及中国厂商的产能扩张，以及新晶圆厂在2027至2028年逐步投产，HBM供需格局可能逆转，引发周期性调整。
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