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摩根表示，内存价格可能在今年第四季度见顶
摩根士丹利发布研究报告，预测内存价格可能在2026年第四季度见顶，核心判断是本轮周期不会突然崩塌，但价格增速、库存结构和新增产能正在同时变化。文章拆解了三大支撑因素：AI资本开支仍在延续周期、价格同比涨幅接近历史极值、模组厂库存回升暴露提前备货行为，并重点分析了长江存储扩产对NAND供需格局的潜在冲击。适合关注半导体周期、存储行业投资或AI硬件产业链的读者深入阅读，以理解当前周期所处的复杂阶段。原文 ↗原文 ↗
核心观点
- ▍摩根士丹利核心预测：内存价格可能在2026年第四季度见顶，但本轮周期不会立即崩塌，而是以高位钝化的方式结束，而非突然暴跌。
- 01AI资本开支是周期延长的核心支撑：自2026年1月以来，主要云厂商2026及2027年资本开支预期分别上修约36%和55%，微软2027年上修幅度达55%。
- 02DRAM合同价格同比涨幅接近历史极值：2026年中期一度接近700%，随后预测曲线快速回落至约100%-150%，价格仍在上涨但增速已显著放缓。
- 03库存结构变化是第二个拐点信号：2026年第二季度DRAM和NAND产业链库存均出现回升，增量主要来自模组厂，而非上游原厂，暗示部分渠道正在提前备货。
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