韩国功率半导体依赖进口超 90%，源于独特的产业历史。从 1959 年金星社制造第一台收音机算起，韩国半导体在「政府+财团」主导下，靠逆周期投资在存储芯片 DRAM 领域击败日本。但这种「大头儿子」模式——附加值低的中低端制造占比远高于高端——让韩国在逻辑芯片和功率半导体领域积累不足。当中国在 SiC/GaN 技术成熟度已领先 12 个百分点时，韩国才真正意识到结构性短板。5000 亿韩元专攻功率半导体的今天，更像是对这种错位的补救。

与韩国白手起家不同，日本功率半导体正走向整合求生。2026 年 3 月，罗姆、东芝、三菱电机签署备忘录，拟将功率业务合并为全球第二大联盟（市占约 10%）。此前日本五强各占不超 5%，罗姆 12 年首亏、瑞萨退出 SiC——碎片化暴露无遗。但整合前景并不明朗：罗姆与东芝此前的合作谈判陷僵局，电装斥 1.3 万亿日元收购罗姆也被质疑「高价接烫手山芋」。日本政府目标 2030 年市占从 20% 提至 40%，但中国份额已飙至 13.4%，留给整合的时间窗口在收窄。

文章聚焦 SiC，但 GaN 在 AI 数据中心供电领域的爆发同样关键。英飞凌 8kW PSU 集成了 GaN，纳微半导体与英伟达合作推出 800V 直降至 6V 的供电方案，峰值效率达 97.5%。核心变量不在「能不能」，而在「铺多快」：集邦咨询预测 GaN 功率市场从 2023 年 2.7 亿美元增至 2030 年 43.8 亿美元，AI 服务器是增速最快的应用。中国英诺赛科已供货谷歌、英伟达，月产能提升至 2 万片 8 英寸 GaN 晶圆。未来三年要观察的节点是：800V 数据中心架构能否成主流标准，以及 GaN 的散热瓶颈能否被金刚石衬底等技术突破。

文章写涨价潮，但更值得追问的问题是：当韩国、日本、中国、欧盟都在大举新建 SiC 8 英寸产线，两年后会重演光伏式产能过剩吗？当前供需失衡——英飞凌半年两涨、台积电 8 英寸产能利用率 90%——确实支撑扩产。但历史教训：2024 年全球半导体产能扩张曾引发过剩担忧，成熟制程首当其冲。SiC 的特殊性在于技术壁垒高、良率爬坡慢，给了市场缓冲。真正判断过剩的锚点不是产能数字，而是下游 800V 电动车渗透率能否撑起每年 40 亿美元的 SiC 需求——2026 年比亚迪 1500V SiC 模块批量装车、下放至 15 万级车型，就是最值得跟踪的信号。