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“中奖绝缘体中了500股”，对话长鑫科技中签散户：希望涨个五六倍再出手
长鑫科技IPO中签率0.47%，刷新科创板纪录。本文采访了三位中签散户，从“光模块”大户、高息股稳健派到28年老股民，展示了不同策略的投资者对长鑫科技从持仓计划到卖出时点的差异化判断。同时引述专家观点，指出长鑫科技业绩高增长依赖AI和存储涨价周期，可持续性存疑，且截至2025年末累计未分配利润为-360多亿元，高估值风险需警惕。适合对A股打新、长鑫科技基本面及存储芯片赛道感兴趣的投资者阅读。原文 ↗
核心观点
- ▍长鑫科技IPO凭借低门槛和存储赛道景气度预期，吸引了大量投资者，但高估值与业绩可持续性风险并存。散户的乐观预期（五六倍涨幅）与专家提示的情绪退潮、业绩波动风险形成张力。
- 01网上发行最终中签率为0.47141739%，创科创板历史纪录，每1万个配号中不到48个中签。
- 02发行定价8.66元/股，中一签仅需缴款4330元，申购门槛较低。
- 03有散户（袁来）申购462000股，最终中2000股，其2024年通过光模块、存储等AI赛道个股盈利约204万元。
- 04散户赵前计划在发行价上涨约5倍的位置分批卖出，而久久期望上涨六倍以上。
- 05长鑫科技2025年一季度营收508亿元，同比增长719%；归母净利润247.62亿元，实现扭亏。
- 06公司预计2026年上半年营收1100-1200亿元，归母净利润500-570亿元。
- 07截至2025年末，长鑫科技累计未分配利润为-360多亿元，此前亏损需靠未来盈利弥补。
反方 / 局限
- — 专家李国平指出，长鑫科技业绩高增长始于2025年一季度，高度依赖AI需求和存储芯片涨价周期，业绩可持续性存疑；若业绩不及预期，300多倍市盈率将放大跌幅。
- — 财通证券风险提示：DRAM制程良率提升慢于预期、全球宏观经济复苏乏力或终端库存调整，都可能影响公司量价走势。
- — 文章虽报道散户乐观预期，但未展开长鑫科技在DRAM市场中与三星、SK海力士等国际巨头的技术差距和竞争压力。
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