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长鑫LPDDR6迎来关键突破
长鑫存储LPDDR6研发验证接近尾声，距量产更近一步，设计速率达12800 Mbps。文章以长鑫产品迭代速度和研发投入数据为主线，指出其正缩小与SK海力士等海外巨头的代际差距，并提及苹果正推动将其纳入供应链，试图重构全球DRAM市场格局。适合关注国产半导体产业链、存储芯片竞争格局的读者了解最新进展。原文 ↗
核心观点
- ▍长鑫LPDDR6研发验证接近尾声，意味着其商业化进度过半，有望打破前沿存储技术被海外巨头主导的格局，重构全球DRAM市场版图。
- 01长鑫首款LPDDR6产品设计速率为12800 Mbps，与SoC协同运行基础速率为10667 Mbps，颗粒容量16Gb，芯片容量16GB，采用1295 Ball的POP封装。
- 02从LPDDR5发布到LPDDR6向核心客户送样，长鑫在DRAM两个代际的跨越上只用了不到3年时间。
- 032025年长鑫研发投入达95.93亿元，同比增长51.28%；2023年至2025年累计研发投入超206亿元；截至2025年底累计专利数量达6972件。
- 04SK海力士于今年3月宣布完成全球首款基于1c工艺的16Gb LPDDR6 DRAM开发验证，计划2026年下半年量产，是长鑫目前进度最快的竞争对手。
- 05野村证券研报指出，长鑫目前全球DRAM市场份额约10%，并预测到2028年底将升至18%，将其目标价看多至116元。
- 06长鑫预计2026年1-6月营收1100亿元至1200亿元，同比增长612.53%至677.31%；归母净利润500亿元至570亿元，同比增长逾22倍。
- 07苹果公司已启动对长鑫DRAM芯片的内部测试，计划用于在中国市场销售的产品，并已就此与美国商务部接触。
反方 / 局限
- — 三星和美光在LPDDR6赛道上投入相对克制，将产能向HBM和服务器DRAM倾斜，这为长鑫提供了增长窗口，但也暗示了高端存储市场的竞争焦点可能正在转移。
- — 长鑫LPDDR6产品能否通过苹果等顶级客户的严格认证，以及中美贸易摩擦对供应链的实际影响，是文章未深入探讨的关键不确定性。
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