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又一家初创公司,要挑战ASML
一家名为 Inversion Semiconductor 的初创公司试图从光源技术路线突破 ASML 在 EUV 光刻机领域的垄断。其核心思路是用高功率激光加热气体产生超等离子体,获取更高频率、更相干的极紫外光,而非 ASML 的 CO₂ 激光熔融锡滴方案。该公司已获美国能源部 "创世纪使命奖原文 ↗原文 ↗
核心观点
- ▍Inversion Semiconductor 试图通过一种全新的、基于高功率激光加热气体产生超等离子体的光源技术,在极紫外光刻领域挑战 ASML 的垄断地位。
- 01Inversion 的技术是使用高功率激光加热氢气或氦气产生“超等离子体汤”,激发电子进入周期性磁结构摆动,从而产生类似激光特性、相干且方向性强的极紫外光。
- 02该公司光源能以每秒 5 亿次脉冲的频率工作,远高于 ASML 传统光源的每秒 5 万次,理论上可制造更多芯片且速度更快。
- 03该方案的光源激光器尺寸已从数年前的 200 米 x 100 米缩小至约 30 米长、5-10 米宽,为小型化应用提供了可能。
- 04Inversion 已获 Y Combinator 和 Entrepreneur First 50 万美元种子前融资,并得到美国能源部“创世纪使命奖”第一阶段 75 万美元资助,与劳伦斯伯克利国家实验室合作。
- 05ASML 的 EUV 光刻机技术路线是使用 CO₂ 激光器每秒喷射熔融锡 50,000 次,产生 13.5nm 光能,光线向四面八方散射,需收集和聚焦。
- 06ASML 在 EUV 技术上积累数十年,曾数次濒临破产,靠台积电、英特尔、三星救助才存活,目前每年投入约 50 亿美元(约六分之一收入)用于研发。
反方 / 局限
- — ASML 的垄断不仅是技术壁垒,更是庞大的供应链整合和数十年的工程实践经验,文章对此几乎未涉及。
- — X射线光刻技术并非新概念,ASML 及其他公司此前也曾探索过,但因技术难题和成本过高而放弃,文章暗示 Inversion 的路径可能面临类似挑战。
- — 文章主要信息源来自公司 CEO 单方面采访,缺乏独立第三方验证,也未提及任何现成的测试设备或明确的商业化时间表。
前置背景
技术原理
平行视角
未来推演
延伸追问