7.7
深览指数
商业虎嗅·锦缎··AI 生成
拆解长鑫招股书：存储的周期叙事走到哪儿了？
本文通过拆解长鑫科技招股书，结合市场数据，研判存储芯片周期。核心结论是：2027年下半年到2028年初可能是本轮周期阶段性高点。文章指出，HBM通过长期协议（LTA）弱化周期，但2028年LTA到期和扩产是关键节点；DRAM正享受双重红利，但下游消费电子库存激增，周期拐点可能比HBM更早到来。对于长鑫，其基本面强劲，但HBM技术代差和募资规模有限，制约了其估值想象空间。适合关注半导体周期、公司战略及A股IPO的投资者阅读。原文 ↗
核心观点
- ▍2027年下半年到2028年初，可能是本轮存储周期的阶段性高点。
- 01HBM的长期协议（LTA）已锁定至2028年，理论上可熨平周期，但会封顶价格弹性，导致资本回报不及预期。
- 02SK海力士、三星、美光等厂商的HBM扩产计划集中在2028年左右，届时产能释放是验证周期逻辑的关键节点。
- 03DRAM市场正经历双重红利：服务器需求增长带来价格弹性，以及巨头将产能转向HBM导致的供给结构性短缺。
- 04消费电子市场景气度低迷，IDC预测2026年全球PC出货量将下降11.3%，手机出货量下降12.9%。
- 05下游厂商自2024年以来被动补库存，存货余额接近翻倍，导致DRAM合约价涨幅已明显收敛。
- 06长鑫科技2026年Q1营收508亿元，同比增长719%，全球DRAM市场份额升至7.67%，排名第四。
- 07长鑫HBM3仍处于样品验证和小幅量产阶段，与已进入HBM4的三星和SK海力士存在技术代差。
反方 / 局限
- — 作者暗示，HBM的LTA是赌一个时间差，若AI资本开支不及预期，LTA可能成为风险而非护城河。
- — 长鑫募资295亿元，其中仅90亿元用于HBM前瞻研发，在全球存储军备竞赛中远不足以支撑全方位追赶。
15 分钟 · 4 卡片 · 12 资料
读原文 →