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商业腾讯新闻·夕小瑶科技说··AI 生成

三星、sk海力士、美光存储三巨头集体被起诉

2026 年夏天,三星、SK 海力士、美光因涉嫌“协同减产、抬升内存价格”被美国消费者集体诉讼。文章核心指出,AI 对高带宽内存(HBM)的疯狂需求,挤占了普通 DRAM 的产能,是此轮内存价格四年暴涨 700% 的深层原因。不同于简单指责厂商割韭菜,文章分析了存储寡头的高壁垒(建厂成本、技术秘密、出口管制)如何让它们有底气“一起涨价”,并回顾了二十年来类似的诉讼历史与挑战。适合关注 AI 产业链传导效应、硬件涨价原因及反垄断法实践的深度读者。原文 ↗

核心观点
  • 苹果等消费电子厂商集体涨价的根本原因,是存储三巨头(三星、SK海力士、美光)人为协同减产传统DRAM,将产能转向利润更高的AI专用高带宽内存(HBM),导致内存价格四年暴涨约700%。
  1. 012026年6月25日,14名消费者和3家公司因内存价格上涨,在美国加州北区联邦法院集体起诉三星、SK海力士和美光,苹果涨价被原告直接用作证据。
  2. 02Counterpoint Research数据显示,2026年Q1全球DRAM市场三星占38%、SK海力士占29%、美光占22%,三家合计份额近九成。
  3. 03诉状核心指控:三巨头打着向HBM转型的旗号,协同压缩传统DRAM产能、收紧供应。过去四年DRAM价格累计涨约700%,2026年Q1合约价涨90%,Q2再涨60%。
  4. 04原告指出的关键矛盾:在价格暴涨、理应有人扩产抢客户时,三家中“没有任何一家利用对手减产的机会去扩产”,反而一起收缩供应。
  5. 05文章给出产能被占用的核心解释:HBM与普通DRAM争夺同一批晶圆,且HBM因工艺复杂、良率低,同样容量需耗费约三倍晶圆面积。美光关闭消费品牌Crucial,将合约锁至2030年。
  6. 06文章分析了存储行业极高的进入门槛:建厂需150-200亿美元、工艺需数十年积累、美国出口管制限制中国厂商获取先进设备。
  7. 07作者点明,即使诉讼获胜,“便宜内存也很难回来了”,因为AI对HBM的持续需求无法逆转,赔款只能追回部分损失,无法追回产能。
反方 / 局限
  • 文章承认了法律上的核心难点:反垄断法禁止的是竞争者之间的“协议”,而非相同的商业决策。本次诉讼与2020年被驳回的类似案件基于同一法院辖区,此前“动作一致”的逻辑未被法院采信,新案需证明有实际“协同”行为。
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