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商业虎嗅·每日天使··AI 生成
存储战争HBF战线开打，中国长江存储能上桌吗？
SK海力士与闪迪联合发布HBF（高带宽闪存）新标准，开辟了介于HBM和SSD之间的AI存储第三战线。HBF本质上是将NAND闪存做HBM式堆叠互联，旨在解决AI推理阶段对高带宽、大容量、低成本存储的刚需。文章梳理了HBF技术路线与产业格局，重点分析了长江存储凭借自研Xtacking架构在NAND领域的积累，以及其能否借HBF实现“换道超车”的关键变量：地缘政治下的设备管制与英伟达的生态选择。适合对AI硬件、存储产业链及中国半导体自主化感兴趣的深度读者。原文 ↗
核心观点
- ▍HBF（高带宽闪存）是AI产业从训练转向大规模推理部署引发的存储架构变革产物，其出现将开辟介于HBM和SSD之间的第三条存储战线，直接冲击现有AI存储格局。
- ▍长江存储凭借自研的Xtacking架构和混合键合技术，在NAND赛道已具备全球竞争力，并有能力切入HBF领域，但能否成功取决于地缘政治限制（设备出口管制）和英伟达的生态选择。
- 01HBF采用8层或16层NAND芯片堆叠，最高支持512GB容量，带宽分三个等级覆盖约0.4TB/s到3.0TB/s，接口采用行业通用UCIe标准，旨在作为AI推理的“高速缓存层”。
- 02SK海力士和闪迪是HBF标准的联合发起方，Google DeepMind和Tenstorrent是生态伙伴，标准已通过OCP向全行业免费开放。
- 03长江存储2026年Q1全球NAND市场份额已从一年前的8%跃升至13%，追平美光和西部数据；其294层3D NAND已量产，良率突破90%。
- 042025年初，长江存储向三星反向授权混合键合技术专利，成为中国芯片企业首次向韩国巨头收取专利费的案例。
- 05北京国际工程咨询公司的产业研究报告明确判断，中国在HBF领域可实现“换道超车”，并指出长江存储“在3D NAND堆叠、混合键合等核心工艺上具备自主可控的技术基础”。
- 06闪迪计划2026年下半年推出HBF原型，三星已启动自研HBF方案，计划2年内集成到英伟达、AMD、谷歌产品中。
反方 / 局限
- — 英伟达至今未对HBF标准发表任何公开评论，作为AI芯片绝对主导者，其是否拥抱HBF将直接决定该标准的产业渗透速度，是最大不确定性。
- — 长江存储自2022年被列入美国实体清单，无法获取300层以上NAND核心制造设备，而HBF技术路线向更高层数堆叠演进，设备管制是现实瓶颈。
- — 摩根士丹利报告警告，AI驱动的存储行业“超级周期”可能接近拐点，内存合约价格可能在2026年Q4见顶，厂商盈利上修率已从峰值下滑，周期风险不容忽视。
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