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长鑫刺穿“存储泡沫”？
文章认为，以长鑫科技为首的存储芯片股近期暴跌并非因公司基本面恶化或技术威胁，而是由下游AI算力基础设施的杠杆风险（尤以CoreWeave为代表）、DRAM涨价周期见顶、以及市场对过度扩产的担忧等多重因素叠加导致。作者通过拆解长鑫财报中利润增速放缓与DRAM合约价涨幅收敛的关联，指出涨价斜率下降是核心逻辑，并反驳了“长鑫4F²技术刺穿泡沫”的市场传言。适合对半导体产业周期、AI投资逻辑及二级市场博弈有了解基础的读者阅读。原文 ↗
核心观点
- ▍长鑫及存储芯片股暴跌并非由公司基本面或单一技术威胁引发，而是下游AI算力基建杠杆风险、DRAM涨价斜率放缓、以及对扩产过度的担忧三者共振的连锁反应。
- 01长鑫科技2026年第三季度归母净利润环比仅微增1%到4%，远低于第二季度的113%，核心原因是通用DRAM合约价涨幅从一季度的93%收敛至三季度的13%-18%.
- 02费城半导体指数连续8个交易日下跌11.41%，存储芯片指数跌幅达17.6%；韩国存储双雄SK海力士与三星单周分别下跌24.3%和17.8%，创2008年来最大单周跌幅。
- 03CoreWeave股价一周跌超25%，其CDS利差冲破1000基点，无担保债券收益率飙至15%，市场担忧其因高杠杆而出现违约风险，恐慌情绪传导至上游存储供应链。
- 04马斯克在社交平台炮轰存储价格太贵，称“其他公司狮子大开口”，暗示下游客户已到承受临界点。
- 05美光披露已签署26份战略客户协议，剩余履约义务约1500亿美元，但均为take-or-pay条款，即客户违约只需按最低购买量支付货款，为超额预订出清埋下伏笔。
反方 / 局限
- — 长鑫内部人士及分析师对TrendForce关于DRAM价格增速很快收敛的数据提出质疑，认为在需求强劲、新产能兑现需要约2年的背景下，涨价斜率不应下降如此之快。美光亦强调2027-2028年供需将“更紧”，与市场担忧方向相反。
- — 文章自身提及，长鑫的HBM业务尚处起步阶段，无法通过高端产品对冲通用DRAM降价风险，这使得其在行业周期切换中更为脆弱。
- — 野村与中信证券均指出，长鑫被市场关注的4F²架构技术要到2027-2028年才能量产，对短期产业格局影响有限，并非本轮大跌的导火索。
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