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ASML光刻机卡住咽喉、美日荷垄断了九成设备，中国刻蚀机已杀进28纳米战场
本文提供了一个分析中国半导体设备国产化现状的三级战场框架：刻蚀（已突围）、薄膜与清洗（爬坡中）、光刻机（天堑）。核心结论是设备国产化率已从2018年的4%跃升至2025年的21%，中微刻蚀机已打入台积电5nm产线，但最难的EUV光刻机仍有巨大差距。作者立场是看多国产替代，但同时强调未来将从“有无”转向“好坏”的持久战，适合关注硬科技投资、半导体产业链及中国科技自主化的读者阅读。原文 ↗
核心观点
- ▍中国半导体设备国产替代已从“从0到1”阶段进入“从1到N”阶段，未来比拼的是量产环境下的稳定性、良率和成本控制，是一场持久战。
- ▍理解国产替代进度的核心框架是将设备分为三级战场：已打赢（刻蚀）、在爬坡（薄膜/清洗）、待攻坚（光刻机/量测）。
- 01中国半导体设备国产化率从2018年的4%增长到2025年的约21%，其中刻蚀设备国产化率约31%，薄膜沉积设备约27%，光刻机等环节不足10%（来源：Bernstein/公开机构）。
- 02中微公司的等离子体刻蚀机已批量应用于台积电5nm及以下先进产线，是国产设备突围的典范。
- 03上海微电子于2025年交付首台28nm浸没式光刻机，国产化率超70%，能支持7nm多重曝光工艺。
- 04北方华创2025上半年营收约22亿美元，同比增长31%，在全球设备商中排名第七，正在从单一品类向平台化解决方案转型。
反方 / 局限
- — 文章承认光刻机是“最难啃的天堑”，其国产化率不足10%，距离ASML主导的EUV光刻机仍有巨大差距，是系统集成难题。
- — 文章指出，虽然设备在参数上取得突破，但真正进入量产产线并获得重复订单，才是判断真突破的标准，未来考验的是工程化和服务能力。
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