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科技虎嗅·海豚研究··AI 生成
NAND天性“多产”，闪迪凭什么守80%毛利率？
本文深入拆解NAND闪存行业的底层结构与周期性特征，指出其与DRAM的根本差异源于物理结构：NAND可垂直堆叠实现技术迁移带来的低成本供给扩张，而DRAM受限于电容结构只能横向微缩、必须通过新建产能来满足需求。文章用大量数据和图表论证了NAND供给端“减不掉”的怪圈——技术迭代自动增加bit产出，使得减产难以真正收缩供给。同时分析了闪迪通过横向微缩策略（而非盲目堆层）实现行业最高位密度和资本效率，以及AI驱动下NAND行业可能的结构性变化。适合对半导体存储行业有基础的投资者和产业分析人士阅读。原文 ↗
核心观点
- ▍NAND与DRAM供给逻辑的根本差异源于物理结构：NAND可垂直堆叠让技术迁移自动大幅提升bit产出，而DRAM受限于1T1C电容无法串联，单代密度提升不足10%，扩张必须依靠新建洁净室。
- ▍NAND行业的“减不掉”怪圈根源于技术迭代本身就在持续制造产能过剩——即便大幅削减投片量，节点迁移带来的单位晶圆bit产出年化27%的增幅仍使总供给正增长。
- 012019-2025年，闪迪bit出货量增长166%，但每GB均价下跌65%，最终闪存收入不升反降6%，揭示了NAND“量大”与“收入大”之间缺乏正向关系。
- 022023年行业收入同比-37%、ASP-42%，但bit供给仍增长约10%，价格跌幅完全由需求侧驱动，销量对下滑贡献为零，呈典型大宗商品属性。
- 03NAND从BiCS5到BiCS11的五个节点，单位晶圆bit产出代际平均增幅54%、年化约27%，显著高于行业mid-to-high teens的长期需求增速。
- 04闪迪横向微缩策略以218层实现229 GB/cm²密度，每层贡献密度较次优者高29%；芯片面积小16%，资本效率为行业平均的2.66倍。
- 05HBM占全球DRAM晶圆产能比重将从2023年的7%升至2026年的23%，三年扩产三倍，但生产同等bit的HBM所耗晶圆约为标准DDR的2-3倍。
- 062026年DRAM资本开支约998亿美元，NAND约254亿，DRAM近乎NAND的4倍；资本开支/收入比DRAM为16%、NAND仅7%。
反方 / 局限
- — NAND当前紧平衡高度依赖寡头之间的“默契”将行业bit增速压制在约15%，但行业内部仍蛰伏大量未释放的技术产能，无需巨额新增CapEx即可随时投放。
- — 闪迪的横向微缩策略在500层以上将面临阵列键合与应力墙等新挑战，届时需要键合能力作前提，而此时铠侠/闪迪已积累的经验可能不再构成明显优势。
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